SI4532CDY-T1-GE3 与 IRF7319PBF 区别
| 型号 | SI4532CDY-T1-GE3 | IRF7319PBF | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-SI4532CDY-T1-GE3 | A-IRF7319PBF | ||||
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SO | ||||
| 连续漏极电流Id | 6A,4.3A | 6.5A,4.9A | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 47 mOhms @ 3.5A,10V | 29mΩ@5.8A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.78W | 2W | ||||
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | - | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 650pF @ 25V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 33nC @ 10V | ||||
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 203 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SI4532CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6A,4.3A N+P-Channel 47 mOhms @ 3.5A,10V 2.78W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
￥2.233
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203 | 当前型号 | ||||||||||||
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DMC3032LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N+P-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 8.1A,7A |
￥1.2342
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3,069 | 对比 | ||||||||||||
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AO4630 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±12V 7A 2W 23mΩ@7A,10V -55°C~150°C |
￥2.3077
|
1,900 | 对比 | ||||||||||||
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IRF7319PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
29mΩ@5.8A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) N+P-Channel 30V 6.5A,4.9A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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AUIRF7379QTR | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V 5.8A,4.3A 45mΩ@5.8A,10V 2.5W -55°C~150°C(TJ) 8-SO 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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FDS8858CZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-SOIC |
￥3.85
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707 | 对比 |
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