SI4463CDY-T1-GE3 与 IRF7410TRPBF 区别
| 型号 | SI4463CDY-T1-GE3 | IRF7410TRPBF | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-SI4463CDY-T1-GE3 | A-IRF7410TRPBF | ||||||
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | P-Channel 60 V 0.008 Ohm 5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | Single P-Channel 12 V 13 mOhm 91 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8 mOhms @ 13A,10V | 7mΩ@16A,4.5V | ||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.7W(Ta),5W(Tc) | 2.5W(Ta) | ||||||
| Vgs(th) | 1.4V @ 250uA | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±8V | ||||||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 4.5V | ||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SO | ||||||
| 连续漏极电流Id | 13.6A(Ta),49A(Tc) | 16A | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 10V | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 900mV @ 250µA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 8676pF @ 10V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 91nC @ 4.5V | ||||||
| Vgs(最大值) | ±12V | - | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 1.8V,4.5V | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 900mV @ 250µA | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 8676pF @ 10V | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 91nC @ 4.5V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 1,673 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SI4463CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
13.6A(Ta),49A(Tc) P-Channel 8 mOhms @ 13A,10V 2.7W(Ta),5W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 20V |
￥3.949
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1,673 | 当前型号 | ||||||||||
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DMP2022LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOP-8 10A 2.5W 13mΩ@10A,10V 20V ±12V P-Channel |
￥1.738
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4,718 | 对比 | ||||||||||
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IRF7410TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±8V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 7mΩ@16A,4.5V P-Channel 20V 16A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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DMP2022LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOP-8 10A 2.5W 13mΩ@10A,10V 20V ±12V P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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DMP2022LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOP-8 10A 2.5W 13mΩ@10A,10V 20V ±12V P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRF7204PBF | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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