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SI4463CDY-T1-GE3  与  DMP2022LSS-13  区别

型号 SI4463CDY-T1-GE3 DMP2022LSS-13
唯样编号 A36-SI4463CDY-T1-GE3 A-DMP2022LSS-13
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 60 V 0.008 Ohm 5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 20V 10A 13 mO P-ch SO-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.1mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 8 mOhms @ 13A,10V 13mΩ@10A,10V
上升时间 - 9.9ns
Qg-栅极电荷 - 56.9nC
Vgs(th) 1.4V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±12V
正向跨导 - 最小值 - 28S
封装/外壳 8-SOIC SOP-8
连续漏极电流Id 13.6A(Ta),49A(Tc) 10A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
长度 - 5.3mm
Vgs(最大值) ±12V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,10V
下降时间 - 76.5ns
高度 - 1.50mm
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 2.7W(Ta),5W(Tc) 2.5W
典型关闭延迟时间 - 108ns
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 - DMP2022
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2444pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 56.9nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 7.5ns
库存与单价
库存 1,673 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.949
100+ :  ¥3.289
1,250+ :  ¥2.992
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4463CDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

13.6A(Ta),49A(Tc) P-Channel 8 mOhms @ 13A,10V 2.7W(Ta),5W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 20V

¥3.949 

阶梯数 价格
20: ¥3.949
100: ¥3.289
1,250: ¥2.992
1,673 当前型号
DMP2022LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOP-8 10A 2.5W 13mΩ@10A,10V 20V ±12V P-Channel

¥1.738 

阶梯数 价格
30: ¥1.738
100: ¥1.342
1,250: ¥1.166
2,500: ¥1.1
4,718 对比
IRF7410TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±8V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 7mΩ@16A,4.5V P-Channel 20V 16A 8-SO

暂无价格 0 对比
DMP2022LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOP-8 10A 2.5W 13mΩ@10A,10V 20V ±12V P-Channel

暂无价格 0 对比
DMP2022LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOP-8 10A 2.5W 13mΩ@10A,10V 20V ±12V P-Channel

暂无价格 0 对比
IRF7204PBF ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 对比

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