首页 > 商品目录 > > > > SI4463BDY-T1-GE3代替型号比较

SI4463BDY-T1-GE3  与  IRF7425PBF  区别

型号 SI4463BDY-T1-GE3 IRF7425PBF
唯样编号 A36-SI4463BDY-T1-GE3 A-IRF7425PBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 11 mOhms @ 13.7A,10V 8.2mΩ@15A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.5W 2.5W(Ta)
Vgs(th) 1.4V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
连续漏极电流Id 9.8A(Ta) 15A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 15V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7980pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±12V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7980pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4463BDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

9.8A(Ta) P-Channel 11 mOhms @ 13.7A,10V 1.5W 8-SOIC -55℃~150℃ 20V

暂无价格 0 当前型号
IRF7425PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8.2mΩ@15A,4.5V P-Channel 20V 15A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7425PBF-1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

-20V SO-8 P-Channel 12V -12A 13mΩ

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售