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SI4463BDY-T1-GE3  与  IRF7425PBF-1  区别

型号 SI4463BDY-T1-GE3 IRF7425PBF-1
唯样编号 A36-SI4463BDY-T1-GE3 A-IRF7425PBF-1
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 11 mOhms @ 13.7A,10V 13mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 2.5W
漏源极电压Vds 20V -20V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 1.5W -
Vgs(th) 1.4V @ 250uA -
栅极电压Vgs - 12V
RthJA max - 50.0K/W
FET类型 P-Channel P-Channel
Qgd - 21.0nC
封装/外壳 8-SOIC SO-8
Mounting - SMD
连续漏极电流Id 9.8A(Ta) -12A
工作温度 -55℃~150℃ -
QG - 87.0nC
Vgs(最大值) ±12V -
Tj max - 150.0°C
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4463BDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

9.8A(Ta) P-Channel 11 mOhms @ 13.7A,10V 1.5W 8-SOIC -55℃~150℃ 20V

暂无价格 0 当前型号
IRF7425PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8.2mΩ@15A,4.5V P-Channel 20V 15A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7425PBF-1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

-20V SO-8 P-Channel 12V -12A 13mΩ

暂无价格 0 对比

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