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SI4455DY-T1-GE3  与  IRF6216PBF  区别

型号 SI4455DY-T1-GE3 IRF6216PBF
唯样编号 A36-SI4455DY-T1-GE3 A-IRF6216PBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 150 V 2.5 W 33 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 295mΩ@-4A,-10V 240mΩ@1.3A,10V
漏源极电压Vds -150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 5.9W 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SO-8 8-SO
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id -2.8A 2.2A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1280pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 49nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1280pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 49nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4455DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

SO-8 -55℃~150℃ -2.8A 295mΩ@-4A,-10V -150V 5.9W ±20V P-Channel

暂无价格 0 当前型号
IRF6216TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 240mΩ@1.3A,10V P-Channel 150V 2.2A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF6216PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 240mΩ@1.3A,10V P-Channel 150V 2.2A 8-SO

暂无价格 0 对比

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