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SI4431CDY-T1-GE3  与  DMP3056LSS-13  区别

型号 SI4431CDY-T1-GE3 DMP3056LSS-13
唯样编号 A36-SI4431CDY-T1-GE3 A-DMP3056LSS-13
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-Channel 30 V 45 mO Enhancement Mode Field Effect Transistor - SOP-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.1mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 32mΩ 45mΩ
上升时间 - 5.3ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),4.2W(Tc) 2.5W
栅极电压Vgs ±20V 20V
典型关闭延迟时间 - 26.5ns
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 SOIC-8 SOP
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 7A 7.1A
系列 SI DMP3056
通道数量 - 1Channel
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1006pF @ 15V 722pF @ 25V
长度 - 5.3mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 10V 6.8nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 - 14.7ns
典型接通延迟时间 - 6.4ns
高度 - 1.50mm
库存与单价
库存 829 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥1.804
100+ :  ¥1.375
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4431CDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta),4.2W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 30V 7A 32mΩ

¥1.804 

阶梯数 价格
30: ¥1.804
100: ¥1.375
829 当前型号
DMP3056LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOP 7.1A 2.5W 45mΩ 30V 20V

¥0.8228 

阶梯数 价格
70: ¥0.8228
100: ¥0.6487
1,250: ¥0.5889
2,500: ¥0.546
5,528 对比
AO4411 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V 20V -8A 3.1W 32mΩ@8A,10V -55°C~150°C

¥1.2821 

阶梯数 价格
1: ¥1.2821
100: ¥1.0204
1,000: ¥0.7353
1,500: ¥0.6329
3,000: ¥0.5
2,989 对比
AO4411 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V 20V -8A 3.1W 32mΩ@8A,10V -55°C~150°C

暂无价格 20 对比
DMP3056LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOP 7.1A 2.5W 45mΩ 30V 20V

暂无价格 0 对比
DMP3056LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOP 7.1A 2.5W 45mΩ 30V 20V

暂无价格 0 对比

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