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SI4430BDY-T1-E3  与  BSO040N03MSGXUMA1  区别

型号 SI4430BDY-T1-E3 BSO040N03MSGXUMA1
唯样编号 A36-SI4430BDY-T1-E3 A-BSO040N03MSGXUMA1
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 0.0045 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 1.56W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5 mOhms @ 20A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 1.6W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 5700pF @ 15V
Vgs(th) 3V @ 250uA -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 8-SOIC 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
连续漏极电流Id 14A(Ta) -
工作温度 -55℃~150℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 73nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 4 毫欧 @ 20A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 16A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4430BDY-T1-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

14A(Ta) N-Channel 4.5 mOhms @ 20A,10V 1.6W 8-SOIC -55℃~150℃ 30V

暂无价格 0 当前型号
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±20V 2.5W(Ta) -55°C~155°C(TJ) 4mΩ@20A,10V N-Channel 30V 20A 8-SO

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20A(Ta) N-Channel ±20V 4.7 mΩ @ 20A,10V 8-SOIC 3W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

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