SI4401DDY-T1-GE3 与 TPC8124(TE12L,V,M) 区别
| 型号 | SI4401DDY-T1-GE3 | TPC8124(TE12L,V,M) | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-SI4401DDY-T1-GE3-1 | A3t-TPC8124(TE12L,V,M) | ||
| 制造商 | Vishay | Toshiba | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 未分类 | ||
| 描述 | MOSFET | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 15mΩ | - | ||
| 上升时间 | 11ns | - | ||
| 漏源极电压Vds | 40V | - | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 6.3W | - | ||
| Qg-栅极电荷 | 64nC | - | ||
| 栅极电压Vgs | 1.2V | - | ||
| 典型关闭延迟时间 | 45ns | - | ||
| 正向跨导 - 最小值 | 37S | - | ||
| 封装/外壳 | SOIC-8 | - | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||
| 连续漏极电流Id | 16.1A | - | ||
| 系列 | SI4 | - | ||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||
| 配置 | Single | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3007pF @ 20V | - | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 95nC @ 10V | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||
| 下降时间 | 9ns | - | ||
| 典型接通延迟时间 | 13ns | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 89 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI4401DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 16.1A 6.3W 15mΩ 40V 1.2V |
￥1.7248
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89 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RSH070P05TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 8-SOP |
￥10.3299
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2,194 | 对比 | ||||||||||||||||
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RSH070P05TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 8-SOP |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||||
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TPC8124(TE12L,V,M) | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
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IRF7240TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) 15mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 10.5A 40V 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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TPC8124 | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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