SI4214DDY-T1-GE3 与 FDS6990AS 区别
| 型号 | SI4214DDY-T1-GE3 | FDS6990AS | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-SI4214DDY-T1-GE3 | A3t-FDS6990AS | ||||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | Dual N-Channel 30 V 0.0195 Ohm 5 W Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | N-Channel 30 V 22 mOhm Dual PowerTrench SyncFET - SOIC-8 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率 | - | 9/10W | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 19.5 mOhms @ 8A,10V | 22 毫欧 @ 7.5A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 3.1W | 900mW | ||||
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | - | ||||
| FET类型 | 2N-Channel | 逻辑电平门 | ||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SO | ||||
| 连续漏极电流Id | 8.5A | 7.5A | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 系列 | - | PowerTrench®,SyncFET™ | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 1mA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 550pF @ 15V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 14nC @ 5V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 1mA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 550pF @ 15V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 14nC @ 5V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 120 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI4214DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.5A 2N-Channel 19.5 mOhms @ 8A,10V 3.1W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
￥1.969
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120 | 当前型号 | ||||||||
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FDS8984 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
￥2.684
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1,949 | 对比 | |||||||||
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PHKD13N03LT,518 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
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FDS6990AS | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
22m Ohms@7.5A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 2N-Channel 逻辑电平门 30V 7.5A 22 毫欧 @ 7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
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FDS6910F011 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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FDS6982AS_NL | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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