SI4214DDY-T1-GE3 与 IRL6372TRPBF 区别
| 型号 | SI4214DDY-T1-GE3 | IRL6372TRPBF | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-SI4214DDY-T1-GE3 | A-IRL6372TRPBF | ||||
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | Dual N-Channel 30 V 0.0195 Ohm 5 W Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | Dual N-Channel 30 V 23 mOhm 11 nC 2 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 19.5 mOhms @ 8A,10V | 17.9mΩ@8.1A,4.5V | ||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 3.1W | 2W | ||||
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | - | ||||
| FET类型 | 2N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SO | ||||
| 连续漏极电流Id | 8.5A | 8.1A | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.1V @ 10µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1020pF @ 25V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 11nC @ 4.5V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.1V @ 10µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1020pF @ 25V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 11nC @ 4.5V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 656 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4214DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.5A 2N-Channel 19.5 mOhms @ 8A,10V 3.1W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
￥1.969
|
656 | 当前型号 | ||||||||
|
FDS8984 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
￥2.684
|
2,058 | 对比 | |||||||||
|
PHKD13N03LT,518 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
|
IRL6372TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 17.9mΩ@8.1A,4.5V 2W N-Channel 30V 8.1A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
FDS6990A_NL | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
|
FDS6982AS_NL | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
