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SI4174DY-T1-GE3  与  IRF7809AVTRPBF  区别

型号 SI4174DY-T1-GE3 IRF7809AVTRPBF
唯样编号 A36-SI4174DY-T1-GE3 A-IRF7809AVTRPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 2.5 W 41 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.8mΩ 9mΩ@15A,4.5V
漏源极电压Vds 2.2V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),5W(Tc) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOIC-8 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 17A 13.3A
系列 TrenchFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 985pF @ 15V 3780pF @ 16V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 10V 62nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3780pF @ 16V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 62nC @ 5V
库存与单价
库存 52 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥1.782
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4174DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 17A 10.8mΩ 2.2V

¥1.782 

阶梯数 价格
30: ¥1.782
52 当前型号
IRF7809AVTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 9mΩ@15A,4.5V N-Channel 30V 13.3A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7805PBF-1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V SO-8 11mΩ N-Channel 12V 10A

暂无价格 0 对比
BSO083N03MSGXUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSO080P03NS3E G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO080P03NS3EGXUMA1_30V 14.8A 8mΩ 25V 2.5W P-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
IRF7463TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 8mΩ@14A,10V N-Channel 30V 14A 8-SO

暂无价格 0 对比

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