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SI4174DY-T1-GE3  与  IRF7805PBF-1  区别

型号 SI4174DY-T1-GE3 IRF7805PBF-1
唯样编号 A36-SI4174DY-T1-GE3 A-IRF7805PBF-1
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.8mΩ 11mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 2.5W
漏源极电压Vds 2.2V 30V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),5W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V 12V
RthJA max - 50.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 6.8nC
封装/外壳 SOIC-8 SO-8
Mounting - SMD
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 17A 10A
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 985pF @ 15V -
QG - 22.0nC
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
Tj max - 150.0°C
库存与单价
库存 52 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥1.782
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4174DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 17A 10.8mΩ 2.2V

¥1.782 

阶梯数 价格
30: ¥1.782
52 当前型号
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±12V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 9mΩ@15A,4.5V N-Channel 30V 13.3A 8-SO

暂无价格 0 对比
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30V SO-8 11mΩ N-Channel 12V 10A

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N 通道 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ)

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暂无价格 0 对比
IRF7463TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比

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