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SI4166DY-T1-GE3  与  IRF8736TRPBF  区别

型号 SI4166DY-T1-GE3 IRF8736TRPBF
唯样编号 A36-SI4166DY-T1-GE3 A-IRF8736TRPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 3.9 mOhm 6.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 N-Channel 30 V 4.8 mOhm Surface Mount HEXFET Power Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.9 mOhms @ 15A,10V 4.8mΩ@18A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta),6.5W(Tc) 2.5W(Ta)
Vgs(th) 2.4V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
连续漏极电流Id 30.5A(Tc) 18A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2315pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 26nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2315pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 26nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4166DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

30.5A(Tc) N-Channel 3.9 mOhms @ 15A,10V 3W(Ta),6.5W(Tc) 8-SOIC -55℃~150℃ 30V

暂无价格 0 当前型号
IRF7832PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~155°C(TJ) 4mΩ@20A,10V N-Channel 30V 20A 8-SO

暂无价格 0 对比
AO4488L_101 AOS  数据手册 功率MOSFET

15A(Ta) N-Channel ±20V 4.6 mΩ @ 20A,10V 8-SOIC 1.7W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
FDS8870 ON Semiconductor 通用MOSFET

18A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 4.2m Ohms@18A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 18A 8-SOIC

暂无价格 0 对比
AO4488 AOS  数据手册 功率MOSFET

15A(Ta) N-Channel ±20V 4.6 mΩ @ 20A,10V 8-SOIC 1.7W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
IRF8736TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 4.8mΩ@18A,10V N-Channel 30V 18A 8-SO

暂无价格 0 对比

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