SI4134DY-T1-GE3 与 SI4410DYPBF 区别
| 型号 | SI4134DY-T1-GE3 | SI4410DYPBF | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-SI4134DY-T1-GE3-1 | A-SI4410DYPBF | ||
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET | Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI4410DYPBF, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 宽度 | 3.9 mm | 4mm | ||
| 零件号别名 | SI4134DY-GE3 | - | ||
| 引脚数目 | - | 8 | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||
| 封装/外壳 | SOIC-8 | SO8 | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 14A | 10A | ||
| 长度 | 4.9 mm | 5mm | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V | ||
| 每片芯片元件数目 | - | 1 Ohms | ||
| 导通电阻Rds(On) | 14mΩ | 14mΩ | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1585pF @ 15V | ||
| 高度 | 1.75 mm | 1.50mm | ||
| 类别 | - | 功率 MOSFET | ||
| 典型关断延迟时间 | - | 38 ns | ||
| 功率耗散Pd | 2.5W(Ta),5W(Tc) | 2.5W | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | - | ||
| 晶体管材料 | - | Si | ||
| 晶体管配置 | - | 单 | ||
| FET类型 | N-Channel | - | ||
| 系列 | SI | HEXFET | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 846pF @ 15V | - | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 23nC @ 10V | - | ||
| 典型接通延迟时间 | - | 11 ns | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 45nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 1,305 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4134DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 30V 14A 14mΩ |
￥1.1466
|
1,305 | 当前型号 | ||||
|
SI4410DYPBF | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
SI4410DY | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
FDS6294 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
3W(Ta) 11.3m Ohms@13A,10V -55°C~175°C(TJ) SOIC 13A N-Channel 30V 13A(Ta) ±20V 11.3 毫欧 @ 13A,10V -55°C~175°C(TJ) 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||
|
SI4410DYPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 10A 14mΩ 2.5W SO8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
IRF7403TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 22mΩ@4A,10V N-Channel 30V 8.5A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
