SI4128DY-T1-GE3 与 IRF7403TRPBF 区别
| 型号 | SI4128DY-T1-GE3 | IRF7403TRPBF | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-SI4128DY-T1-GE3 | A-IRF7403TRPBF | ||
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | N-Channel 30 V 0.024 Ohm 5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 2.4W(Ta),5W(Tc) | 2.5W(Ta) | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | - | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SO | ||
| 连续漏极电流Id | 10.9A(Ta) | 8.5A | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 系列 | - | HEXFET® | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1200pF @ 25V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 57nC @ 10V | ||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||
| 导通电阻Rds(On) | 24 mOhms @ 7.8A,10V | 22mΩ@4A,10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1200pF @ 25V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 57nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 48 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI4128DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
10.9A(Ta) N-Channel 24 mOhms @ 7.8A,10V 2.4W(Ta),5W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
￥3.108
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48 | 当前型号 | ||||
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NDS8410A | ON Semiconductor | 未分类 |
￥5.5
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2,500 | 对比 | ||||||
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IRF7201 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRF7403TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 22mΩ@4A,10V N-Channel 30V 8.5A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRF7201TRPBF | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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NTMS4800NR2G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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