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SI4122DY-T1-GE3  与  RS6G120BGTB1  区别

型号 SI4122DY-T1-GE3 RS6G120BGTB1
唯样编号 A36-SI4122DY-T1-GE3 A3-RS6G120BGTB1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Si4122DY Series Single N-Channel 40 V 4.5 mOhm 6 W SMT Power Mosfet - SOIC-8 NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 8-SOIC HSOP8 (Single)
连续漏极电流Id 27.2A(Tc) 120A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5 mOhms @ 15A,10V 1.34mΩ@90A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta),6W(Tc) 104W
Vgs(最大值) ±25V -
Vgs(th) 2.5V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 19,917 100
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
6+ :  ¥9.152
100+ :  ¥7.876
1,250+ :  ¥7.513
2,500+ :  ¥7.15
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4122DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

¥9.152 

阶梯数 价格
6: ¥9.152
100: ¥7.876
1,250: ¥7.513
2,500: ¥7.15
19,917 当前型号
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥70.172 

阶梯数 价格
3: ¥70.172
10: ¥15.9356
50: ¥11.0294
100: ¥10.4161
500: ¥10.0041
1,000: ¥9.9274
1,756 对比
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥10.1972 

阶梯数 价格
1: ¥10.1972
100: ¥5.0986
100 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥11.6427 

阶梯数 价格
20: ¥11.6427
50: ¥6.6407
64 对比

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