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SI4122DY-T1-GE3  与  RS6G100BGTB1  区别

型号 SI4122DY-T1-GE3 RS6G100BGTB1
唯样编号 A36-SI4122DY-T1-GE3 A3-RS6G100BGTB1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Si4122DY Series Single N-Channel 40 V 4.5 mOhm 6 W SMT Power Mosfet - SOIC-8 Nch 40V 100A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 8-SOIC HSOP8 (Single)
连续漏极电流Id 27.2A(Tc) 100A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150℃
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5 mOhms @ 15A,10V 3.4mΩ@90A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta),6W(Tc) 59W
Vgs(最大值) ±25V -
Vgs(th) 2.5V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 18,055 160
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
7+ :  ¥8.151
100+ :  ¥7.018
1,250+ :  ¥6.688
2,500+ :  ¥6.05
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4122DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

27.2A(Tc) N-Channel 4.5 mOhms @ 15A,10V 3W(Ta),6W(Tc) 8-SOIC -55℃~150℃ 40V

¥8.151 

阶梯数 价格
7: ¥8.151
100: ¥7.018
1,250: ¥6.688
2,500: ¥6.05
18,055 当前型号
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A

¥14.7378 

阶梯数 价格
20: ¥14.7378
50: ¥10.1957
100: ¥9.6304
300: ¥9.2566
500: ¥9.18
1,000: ¥9.1225
1,604 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150℃ ±20V 40V 100A

暂无价格 160 对比
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A

暂无价格 100 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150℃ ±20V 40V 100A

¥10.1972 

阶梯数 价格
1: ¥10.1972
100: ¥5.0986
100 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150℃ ±20V 40V 100A

暂无价格 14 对比

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