SI4058DY-T1-GE3 与 RS6P060BHTB1 区别
| 型号 | SI4058DY-T1-GE3 | RS6P060BHTB1 | ||||||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-SI4058DY-T1-GE3 | A33-RS6P060BHTB1-1 | ||||||||||||||||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||||||||
| 描述 | Nch 100V 60A, HSOP8, Power MOSFET | |||||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | HSOP8 (Single) | ||||||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 10.3A(Tc) | 60A | ||||||||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 26 mOhms @ 10A,10V | 10.6mΩ@60A,10V | ||||||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 5.6W(Tc) | 73W | ||||||||||||||||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||||||||||||||||||
| Vgs(th) | 2.8V @ 250uA | - | ||||||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||||
| 库存 | 6,459 | 2,469 | ||||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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SI4058DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
10.3A(Tc) N-Channel 26 mOhms @ 10A,10V 5.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 100V |
￥2.772
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6,459 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A |
￥13.6358
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2,469 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥26.4283
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1,960 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥19.6519
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97 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A |
￥13.2013
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95 | 对比 |
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