SI4058DY-T1-GE3 与 RS6P100BHTB1 区别
| 型号 | SI4058DY-T1-GE3 | RS6P100BHTB1 | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-SI4058DY-T1-GE3 | A3-RS6P100BHTB1 | ||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | HSOP8 (Single) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 10.3A(Tc) | 100A | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 26 mOhms @ 10A,10V | 5.9mΩ@90A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 5.6W(Tc) | 104W | ||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||||
| Vgs(th) | 2.8V @ 250uA | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 6,464 | 50 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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SI4058DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
10.3A(Tc) N-Channel 26 mOhms @ 10A,10V 5.6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 100V |
￥2.882
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6,464 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥26.4283
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1,960 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥19.6519
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97 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A |
￥13.2013
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95 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
暂无价格 | 50 | 对比 |
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