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SI4058DY-T1-GE3  与  RS6P100BHTB1  区别

型号 SI4058DY-T1-GE3 RS6P100BHTB1
唯样编号 A36-SI4058DY-T1-GE3 A3-RS6P100BHTB1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 8-SOIC HSOP8 (Single)
连续漏极电流Id 10.3A(Tc) 100A
工作温度 -55℃~150℃ -55℃~150℃
Rds On(Max)@Id,Vgs 26 mOhms @ 10A,10V 5.9mΩ@90A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 5.6W(Tc) 104W
Vgs(最大值) ±20V -
Vgs(th) 2.8V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 6,758 50
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥2.585
100+ :  ¥1.991
1,250+ :  ¥1.727
2,500+ :  ¥1.65
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4058DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

10.3A(Tc) N-Channel 26 mOhms @ 10A,10V 5.6W(Tc) 8-SOIC -55℃~150℃ 100V

¥2.585 

阶梯数 价格
20: ¥2.585
100: ¥1.991
1,250: ¥1.727
2,500: ¥1.65
6,758 当前型号
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55℃~150℃

¥25.403 

阶梯数 价格
6: ¥25.403
10: ¥15.0636
30: ¥11.2881
50: ¥10.5311
100: ¥9.9562
300: ¥9.5824
500: ¥9.5058
1,000: ¥9.4483
1,980 对比
RS6P060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150℃ ±20V 100V 60A

暂无价格 100 对比
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55℃~150℃

¥19.6519 

阶梯数 价格
1: ¥19.6519
100: ¥9.8259
97 对比
RS6P060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150℃ ±20V 100V 60A

¥13.2013 

阶梯数 价格
1: ¥13.2013
100: ¥6.6007
95 对比
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55℃~150℃

暂无价格 50 对比

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