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SI3552DV-T1-GE3  与  QS6M3TR  区别

型号 SI3552DV-T1-GE3 QS6M3TR
唯样编号 A36-SI3552DV-T1-GE3 A3t-QS6M3TR
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TSOT-23-6 TSMT6(SC-95)
连续漏极电流Id 2.5A 1.5A
工作温度 -55°C~150°C 150°C(TJ)
Rds On(Max)@Id,Vgs 105 mOhms @ 2.5A,10V 230mΩ@1.5A,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 1mA
漏源极电压Vds 30V 30V/20V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 80pF @ 10V
Pd-功率耗散(Max) 1.15W 1.25W
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) 1V @ 250uA(最小) -
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
库存与单价
库存 23,804 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥2.42
100+ :  ¥1.936
750+ :  ¥1.727
1,500+ :  ¥1.639
3,000+ :  ¥1.551
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI3552DV-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

2.5A N+P-Channel 105 mOhms @ 2.5A,10V 1.15W TSOT-23-6 -55°C~150°C 30V

¥2.42 

阶梯数 价格
30: ¥2.42
100: ¥1.936
750: ¥1.727
1,500: ¥1.639
3,000: ¥1.551
23,804 当前型号
QS6M3TR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

N+P-Channel 30V,20V 230mΩ@1.5A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) 30V/20V 1.5A TSMT6(SC-95)

¥0.8811 

阶梯数 价格
60: ¥0.8811
200: ¥0.6083
1,500: ¥0.5533
22,556 对比
QS6M3TR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

N+P-Channel 30V,20V 230mΩ@1.5A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) 30V/20V 1.5A TSMT6(SC-95)

暂无价格 18,000 对比
QS6M3TR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

N+P-Channel 30V,20V 230mΩ@1.5A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) 30V/20V 1.5A TSMT6(SC-95)

暂无价格 0 对比
QS6M3TR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

N+P-Channel 30V,20V 230mΩ@1.5A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) 30V/20V 1.5A TSMT6(SC-95)

暂无价格 0 对比
FDC6321C ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

TSOT-23-6

暂无价格 3,000 对比

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