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SI3430DV-T1-GE3  与  DMN10H170SVTQ-7  区别

型号 SI3430DV-T1-GE3 DMN10H170SVTQ-7
唯样编号 A36-SI3430DV-T1-GE3 A-DMN10H170SVTQ-7
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 170 mOhms @ 2.4A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 1.14W(Ta) 1.2W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 160mΩ@5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1167 pF @ 25 V
Vgs(th) 2V @ 250uA(最小) -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 9.7 nC @ 10 V
封装/外壳 TSOT-23-6 TSOT-23
连续漏极电流Id 1.8A(Ta) 2.6A(Ta)
工作温度 -55℃~150℃ -55℃~150℃(TJ)
驱动电压 - 4.5V,10V
Vgs(最大值) ±20V -
库存与单价
库存 30,908 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥1.936
100+ :  ¥1.551
750+ :  ¥1.375
1,500+ :  ¥1.309
3,000+ :  ¥1.243
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI3430DV-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

1.8A(Ta) N-Channel 170 mOhms @ 2.4A,10V 1.14W(Ta) TSOT-23-6 -55℃~150℃ 100V

¥1.936 

阶梯数 价格
30: ¥1.936
100: ¥1.551
750: ¥1.375
1,500: ¥1.309
3,000: ¥1.243
30,908 当前型号
DMN10H170SVTQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.2W(Ta) ±20V TSOT-23 -55℃~150℃(TJ) 100V 2.6A(Ta) 车规

暂无价格 0 对比
BSL296SN H6327 Infineon 小信号MOSFET

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暂无价格 0 对比

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