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SI3417DV-T1-GE3  与  RQ6E050ATTCR  区别

型号 SI3417DV-T1-GE3 RQ6E050ATTCR
唯样编号 A36-SI3417DV-T1-GE3 A33-RQ6E050ATTCR-1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 25.2 mOhms @ 7.3A,10V 27mΩ@5A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta),4.2W(Tc) 1.25W(Ta)
Vgs(th) 3V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TSOT-23-6 SOT-23-6,TSOT-23-6
连续漏极电流Id 8A(Ta) 5A(Ta)
工作温度 -55℃~150℃ 150°C(TJ)
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 940pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20.8nC @ 10V
库存与单价
库存 1,817 2,500
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
30+ :  ¥1.727
100+ :  ¥1.375
750+ :  ¥1.232
1,500+ :  ¥1.166
70+ :  ¥2.319
100+ :  ¥1.744
300+ :  ¥1.3703
500+ :  ¥1.2937
1,000+ :  ¥1.2362
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI3417DV-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8A(Ta) P-Channel 25.2 mOhms @ 7.3A,10V 2W(Ta),4.2W(Tc) TSOT-23-6 -55℃~150℃ 30V

¥1.727 

阶梯数 价格
30: ¥1.727
100: ¥1.375
750: ¥1.232
1,500: ¥1.166
1,817 当前型号
RQ6E050ATTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 30V 5A(Ta) ±20V 1.25W(Ta) 27mΩ@5A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6

¥2.319 

阶梯数 价格
70: ¥2.319
100: ¥1.744
300: ¥1.3703
500: ¥1.2937
1,000: ¥1.2362
2,500 对比
RQ6E050ATTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 30V 5A(Ta) ±20V 1.25W(Ta) 27mΩ@5A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6

暂无价格 95 对比
RQ6E050ATTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 30V 5A(Ta) ±20V 1.25W(Ta) 27mΩ@5A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6

¥3.9464 

阶梯数 价格
1: ¥3.9464
100: ¥2.2376
1,500: ¥1.4186
3,000: ¥1.0569
80 对比
RQ6E050ATTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 30V 5A(Ta) ±20V 1.25W(Ta) 27mΩ@5A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6

暂无价格 21 对比

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