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SI2356DS-T1-GE3  与  IRLML0040TRPBF  区别

型号 SI2356DS-T1-GE3 IRLML0040TRPBF
唯样编号 A36-SI2356DS-T1-GE3 A-IRLML0040TRPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Si2356DS Series 40 V 3.2 A 51 mOhm Surface Mount N-Channel Mosfet - SOT-23-3 Single N-Channel 40 V 78 mOhm 3.9 nC 1.3 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 56mΩ 56mΩ@3.6A,10V
漏源极电压Vds 1.5V 40V
Pd-功率耗散(Max) 960mW(Ta),1.7W(Tc) 1.3W(Ta)
栅极电压Vgs ±12V ±16V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.3A 3.6A
系列 TrenchFET® HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA 2.5V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 370pF @ 20V 266pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 10V 3.9nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 266pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 3.9nC
库存与单价
库存 22,949 3,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
50+ :  ¥1.122
200+ :  ¥0.8602
1,500+ :  ¥0.748
3,000+ :  ¥0.6963
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2356DS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±12V 960mW(Ta),1.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 4.3A 56mΩ 1.5V

¥1.122 

阶梯数 价格
50: ¥1.122
200: ¥0.8602
1,500: ¥0.748
3,000: ¥0.6963
22,949 当前型号
DMG3402L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.4W(Ta) ±12V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 4A(Ta)

¥0.5967 

阶梯数 价格
90: ¥0.5967
200: ¥0.3848
1,500: ¥0.3354
3,000: ¥0.2964
13,891 对比
IRLML0040TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 56mΩ@3.6A,10V N-Channel 40V 3.6A Micro3™/SOT-23

暂无价格 3,000 对比
DMG3402L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.4W(Ta) ±12V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 4A(Ta)

暂无价格 0 对比
DMG3402L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.4W(Ta) ±12V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 4A(Ta)

暂无价格 0 对比

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