首页 > 商品目录 > > > > SI2343CDS-T1-GE3代替型号比较

SI2343CDS-T1-GE3  与  DMG3407SSN-7  区别

型号 SI2343CDS-T1-GE3 DMG3407SSN-7
唯样编号 A36-SI2343CDS-T1-GE3 A36-DMG3407SSN-7
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Si2343CDS Series P-Channel 30 V 45 mOhm 2.5 W Surface Mount Mosfet - TO-236
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 45mΩ 50mΩ@4.1A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) 1.1W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 SC-59
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.9A 4A
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 590pF @ 15V 700pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 21nC @ 10V 16nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
库存与单价
库存 37,185 0
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
70+ :  ¥0.7689
200+ :  ¥0.6279
1,500+ :  ¥0.5694
3,000+ :  ¥0.533
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2343CDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.25W(Ta),2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel 30V 5.9A 45mΩ

¥0.7689 

阶梯数 价格
70: ¥0.7689
200: ¥0.6279
1,500: ¥0.5694
3,000: ¥0.533
37,185 当前型号
DMG3407SSN-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.1W(Ta) 50mΩ@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-59 P-Channel 30V 4A

暂无价格 0 对比
DMG3407SSN-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.1W(Ta) 50mΩ@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-59 P-Channel 30V 4A

暂无价格 0 对比
DMG3407SSN-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.1W(Ta) 50mΩ@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-59 P-Channel 30V 4A

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售