首页 > 商品目录 > > > > SI2325DS-T1-E3代替型号比较

SI2325DS-T1-E3  与  BSR316PL6327HTSA1  区别

型号 SI2325DS-T1-E3 BSR316PL6327HTSA1
唯样编号 A36-SI2325DS-T1-E3 A-BSR316PL6327HTSA1
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 Single P-Channel 150 V 1.2 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23 MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.2 Ohms @ 500mA,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 150V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 750mW(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 165pF @ 25V
Vgs(th) 4.5V @ 250uA -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 SOT-23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
连续漏极电流Id 530mA(Ta) -
工作温度 -55℃~150℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1V @ 170uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 7nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 1.8 欧姆 @ 360mA,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 360mA(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 100V
库存与单价
库存 20,460 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥2.717
100+ :  ¥2.178
750+ :  ¥1.936
1,500+ :  ¥1.826
3,000+ :  ¥1.738
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2325DS-T1-E3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

530mA(Ta) P-Channel 1.2 Ohms @ 500mA,10V 750mW(Ta) SOT-23-3 -55℃~150℃ 150V

¥2.717 

阶梯数 价格
20: ¥2.717
100: ¥2.178
750: ¥1.936
1,500: ¥1.826
3,000: ¥1.738
20,460 当前型号
BSR316PL6327HTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

P 通道 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售