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SI2319DS-T1-E3  与  DMG2307L-7  区别

型号 SI2319DS-T1-E3 DMG2307L-7
唯样编号 A36-SI2319DS-T1-E3 A36-DMG2307L-7
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 P-Ch 40 V 3 A 82 mOhm 750 mW SMT Power Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 0.76W
Rds On(Max)@Id,Vgs 82 mOhms @ 3A,10V 90mΩ@2.5A,10V
漏源极电压Vds 40V 30V
Pd-功率耗散(Max) 750mW(Ta) -
Vgs(th) 3V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
连续漏极电流Id 2.3A(Ta) 3.8A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 - DMG
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 371.3pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8.2nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 6,048 788
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥2.519
100+ :  ¥2.013
750+ :  ¥1.804
1,500+ :  ¥1.705
3,000+ :  ¥1.595
100+ :  ¥0.5499
200+ :  ¥0.3549
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2319DS-T1-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

2.3A(Ta) P-Channel 82 mOhms @ 3A,10V 750mW(Ta) SOT-23-3 -55℃~150℃ 40V

¥2.519 

阶梯数 价格
20: ¥2.519
100: ¥2.013
750: ¥1.804
1,500: ¥1.705
3,000: ¥1.595
6,048 当前型号
DMG2307L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

±20V 90mΩ@2.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 3.8A

¥0.5499 

阶梯数 价格
100: ¥0.5499
200: ¥0.3549
788 对比
DMG2307L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

±20V 90mΩ@2.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 3.8A

暂无价格 0 对比
DMG2307L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

±20V 90mΩ@2.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 3.8A

暂无价格 0 对比

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