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SI2316DS-T1-E3  与  DMG3402L-7  区别

型号 SI2316DS-T1-E3 DMG3402L-7
唯样编号 A36-SI2316DS-T1-E3 A36-DMG3402L-7
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 0.05 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-236 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 50 mOhms @ 3.4A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 700mW(Ta) 1.4W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 52mΩ@4A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 464 pF @ 15 V
Vgs(th) 800mV @ 250uA(最小) -
栅极电压Vgs - ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 11.7 nC @ 10 V
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23-3
连续漏极电流Id 2.9A(Ta) 4A(Ta)
工作温度 -55℃~150℃ -55℃~150℃(TJ)
驱动电压 - 2.5V,10V
Vgs(最大值) ±20V -
库存与单价
库存 0 16,951
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
90+ :  ¥0.5967
200+ :  ¥0.3848
1,500+ :  ¥0.3354
3,000+ :  ¥0.2964
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2316DS-T1-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

2.9A(Ta) N-Channel 50 mOhms @ 3.4A,10V 700mW(Ta) SOT-23-3 -55℃~150℃ 30V

暂无价格 0 当前型号
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55℃~150℃

¥0.5698 

阶梯数 价格
90: ¥0.5698
200: ¥0.4342
1,500: ¥0.377
3,000: ¥0.3341
168,231 对比
DMG3402L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.4W(Ta) ±12V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 4A(Ta)

¥0.5967 

阶梯数 价格
90: ¥0.5967
200: ¥0.3848
1,500: ¥0.3354
3,000: ¥0.2964
16,951 对比
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55℃~150℃

暂无价格 0 对比
AO3402L AOS 通用MOSFET

4A(Ta) N-Channel ±12V 55 mΩ @ 4A,10V SOT-23-3 1.4W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
AO3406L AOS  数据手册 功率MOSFET

3.6A(Ta) N-Channel ±20V 50 mΩ @ 3.6A,10V SOT-23-3 1.4W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比

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