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SI2316BDS-T1-GE3  与  DMG3406L-13  区别

型号 SI2316BDS-T1-GE3 DMG3406L-13
唯样编号 A36-SI2316BDS-T1-GE3 A36-DMG3406L-13
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 Si2316BDS Series N-Channel 30 V 50 mOhm 1.66 W Surface Mount Mosfet - TO-236 MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 50 mOhms @ 3.9A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta),1.66W(Tc) 770mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 50mΩ@3.6A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 495 pF @ 15 V
Vgs(th) 3V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 11.2 nC @ 10 V
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23-3
连续漏极电流Id 4.5A(Tc) 3.6A(Ta)
工作温度 -55℃~150℃ -55℃~150℃(TJ)
驱动电压 - 4.5V,10V
Vgs(最大值) ±20V -
库存与单价
库存 19 9,882
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
90+ :  ¥0.6193
100+ :  ¥0.5044
500+ :  ¥0.4589
2,500+ :  ¥0.4251
5,000+ :  ¥0.3965
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2316BDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

4.5A(Tc) N-Channel 50 mOhms @ 3.9A,10V 1.25W(Ta),1.66W(Tc) SOT-23-3 -55℃~150℃ 30V

暂无价格 19 当前型号
DMG3406L-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 770mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.6A(Ta)

¥0.6193 

阶梯数 价格
90: ¥0.6193
100: ¥0.5044
500: ¥0.4589
2,500: ¥0.4251
5,000: ¥0.3965
9,882 对比
ZXMN3A14FTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1W(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.2A(Ta)

¥1.661 

阶梯数 价格
40: ¥1.661
100: ¥1.342
750: ¥1.188
1,500: ¥1.122
3,000: ¥1.067
3,459 对比
IRLML6346TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 63mΩ@3.4A,4.5V N-Channel 30V 3.4A Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 对比
AO3456 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 30V 20V 3.6A 1.4W 50mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AO3498 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 30V 12V 3.8A 1.4W 55mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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