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SI2316BDS-T1-GE3  与  IRLML6346TRPBF  区别

型号 SI2316BDS-T1-GE3 IRLML6346TRPBF
唯样编号 A36-SI2316BDS-T1-GE3 A-IRLML6346TRPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Si2316BDS Series N-Channel 30 V 50 mOhm 1.66 W Surface Mount Mosfet - TO-236 N-Channel 30 V 80 mOhm 2.9 nC 1.3 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 50 mOhms @ 3.9A,10V 63mΩ@3.4A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta),1.66W(Tc) 1.3W(Ta)
Vgs(th) 3V @ 250uA -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
栅极电压Vgs - ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 Micro3™/SOT-23
连续漏极电流Id 4.5A(Tc) 3.4A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 24V
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 270pF @ 24V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.9nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 270pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.9nC
库存与单价
库存 19 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2316BDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

4.5A(Tc) N-Channel 50 mOhms @ 3.9A,10V 1.25W(Ta),1.66W(Tc) SOT-23-3 -55℃~150℃ 30V

暂无价格 19 当前型号
DMG3406L-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 770mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.6A(Ta)

¥0.6193 

阶梯数 价格
90: ¥0.6193
100: ¥0.5044
500: ¥0.4589
2,500: ¥0.4251
5,000: ¥0.3965
9,882 对比
ZXMN3A14FTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1W(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.2A(Ta)

¥1.661 

阶梯数 价格
40: ¥1.661
100: ¥1.342
750: ¥1.188
1,500: ¥1.122
3,000: ¥1.067
3,459 对比
IRLML6346TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 63mΩ@3.4A,4.5V N-Channel 30V 3.4A Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 对比
AO3456 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 30V 20V 3.6A 1.4W 50mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AO3498 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 30V 12V 3.8A 1.4W 55mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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