首页 > 商品目录 > > > > SI2316BDS-T1-E3代替型号比较

SI2316BDS-T1-E3  与  FDN337N  区别

型号 SI2316BDS-T1-E3 FDN337N
唯样编号 A36-SI2316BDS-T1-E3 A36-FDN337N
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 0.05 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23 N-Channel 30 V 65 mOhm Surface Mount Field Effect Transistor - SSOT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 50 mOhms @ 3.9A,10V 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta),1.66W(Tc) 500mW(Ta)
Vgs(th) 3V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±8V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
连续漏极电流Id 4.5A(Tc) 2.2A(Ta)
工作温度 -55℃~150℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 300pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 300pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 6,999
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
60+ :  ¥0.8822
200+ :  ¥0.6094
1,500+ :  ¥0.5533
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2316BDS-T1-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

4.5A(Tc) N-Channel 50 mOhms @ 3.9A,10V 1.25W(Ta),1.66W(Tc) SOT-23-3 -55℃~150℃ 30V

暂无价格 0 当前型号
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55℃~150℃

¥0.6655 

阶梯数 价格
80: ¥0.6655
200: ¥0.507
1,500: ¥0.4407
3,000: ¥0.3887
91,409 对比
FDN337N ON Semiconductor 通用MOSFET

±8V 500mW(Ta) 65m Ohms@2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 30V 2.2A 2.2A(Ta) 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V -55°C ~ 150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.8822 

阶梯数 价格
60: ¥0.8822
200: ¥0.6094
1,500: ¥0.5533
6,999 对比
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55℃~150℃

暂无价格 0 对比
AO3402L AOS 通用MOSFET

4A(Ta) N-Channel ±12V 55 mΩ @ 4A,10V SOT-23-3 1.4W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
AO3418_101 AOS  数据手册 通用MOSFET

3.8A(Ta) N-Channel

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售