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SI2316BDS-T1-E3  与  DMN3112S-7  区别

型号 SI2316BDS-T1-E3 DMN3112S-7
唯样编号 A36-SI2316BDS-T1-E3 A3-DMN3112S-7
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 0.05 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23 MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 50 mOhms @ 3.9A,10V 57mΩ@5.8A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta),1.66W(Tc) 1.4W(Ta)
Vgs(th) 3V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
连续漏极电流Id 4.5A(Tc) 5.8A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 268pF @ 5V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2316BDS-T1-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

4.5A(Tc) N-Channel 50 mOhms @ 3.9A,10V 1.25W(Ta),1.66W(Tc) SOT-23-3 -55℃~150℃ 30V

暂无价格 0 当前型号
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55℃~150℃

¥0.5544 

阶梯数 价格
100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
1,500: ¥0.3679
3,000: ¥0.325
116,754 对比
FDN337N ON Semiconductor 通用MOSFET

±8V 500mW(Ta) 65m Ohms@2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 30V 2.2A 2.2A(Ta) 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V -55°C ~ 150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.8822 

阶梯数 价格
60: ¥0.8822
200: ¥0.6094
1,500: ¥0.5533
16,537 对比
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55℃~150℃

暂无价格 0 对比
DMN3112S-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.4W(Ta) 57mΩ@5.8A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 5.8A

暂无价格 0 对比
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55℃~150℃

暂无价格 0 对比

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