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SI2315BDS-T1-E3  与  IRLML6401TRPBF  区别

型号 SI2315BDS-T1-E3 IRLML6401TRPBF
唯样编号 A36-SI2315BDS-T1-E3 A-IRLML6401TRPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 12 V 0.05 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23 MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 50 mOhms @ 3.85A,4.5V 50mΩ@4.3A,4.5V
漏源极电压Vds 12V 12V
Pd-功率耗散(Max) 750mW(Ta) 1.3W(Ta)
Vgs(th) 900mV @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±8V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 5V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
连续漏极电流Id 3A(Ta) 4.3A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 950mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 830pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 5V
Vgs(最大值) ±8V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.8V,4.5V
库存与单价
库存 26,920 3,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
60+ :  ¥0.9999
200+ :  ¥0.7678
1,500+ :  ¥0.6688
3,000+ :  ¥0.6215
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2315BDS-T1-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

3A(Ta) P-Channel 50 mOhms @ 3.85A,4.5V 750mW(Ta) SOT-23-3 -55℃~150℃ 12V

¥0.9999 

阶梯数 价格
60: ¥0.9999
200: ¥0.7678
1,500: ¥0.6688
3,000: ¥0.6215
26,920 当前型号
IRLML6401TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±8V 1.3W(Ta) 50mΩ@4.3A,4.5V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 4.3A 12V SOT-23

暂无价格 3,000 对比

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