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SI2307BDS-T1-E3  与  DMG2307LQ-7  区别

型号 SI2307BDS-T1-E3 DMG2307LQ-7
唯样编号 A36-SI2307BDS-T1-E3 A36-DMG2307LQ-7
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 0.078 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23 P Channel 30 V 90 mO 1.36 W SOT-23 Automotive-grade SMT Power MosFet
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 78 mOhms @ 3.2A,10V 90mΩ
上升时间 - 7.3ns
漏源极电压Vds 30V 30V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 750mW(Ta) 1.36W
Qg-栅极电荷 - 8.2nC
Vgs(th) 3V @ 250uA -
栅极电压Vgs - 3V
典型关闭延迟时间 - 22.4ns
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23-3
连续漏极电流Id 2.5A(Ta) 3.8A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C
系列 - DMG2307L
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
Vgs(最大值) ±20V -
下降时间 - 13.4ns
典型接通延迟时间 - 4.8ns
库存与单价
库存 0 2,432
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
80+ :  ¥0.6578
200+ :  ¥0.5356
1,500+ :  ¥0.4862
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2307BDS-T1-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

2.5A(Ta) P-Channel 78 mOhms @ 3.2A,10V 750mW(Ta) SOT-23-3 -55℃~150℃ 30V

暂无价格 0 当前型号
DMG2307LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

3.8A 1.36W 90mΩ 30V 3V SOT-23-3 -55°C~150°C 车规

¥0.6578 

阶梯数 价格
80: ¥0.6578
200: ¥0.5356
1,500: ¥0.4862
2,432 对比
RSR025P03TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) P 通道 TSMT3

暂无价格 0 对比
DMG2307LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

3.8A 1.36W 90mΩ 30V 3V SOT-23-3 -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比
DMG2307LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

3.8A 1.36W 90mΩ 30V 3V SOT-23-3 -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比

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