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SI2307BDS-T1-E3  与  RSR025P03TL  区别

型号 SI2307BDS-T1-E3 RSR025P03TL
唯样编号 A36-SI2307BDS-T1-E3 A-RSR025P03TL
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 0.078 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23 MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 1W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 78 mOhms @ 3.2A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 750mW(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 460pF @ 10V
Vgs(th) 3V @ 250uA -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 SOT-23-3 TSMT3
连续漏极电流Id 2.5A(Ta) -
工作温度 -55℃~150℃ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 98 毫欧 @ 2.5A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 2.5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 5.4nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2307BDS-T1-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

2.5A(Ta) P-Channel 78 mOhms @ 3.2A,10V 750mW(Ta) SOT-23-3 -55℃~150℃ 30V

暂无价格 0 当前型号
DMG2307LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

3.8A 1.36W 90mΩ 30V 3V SOT-23-3 -55°C~150°C 车规

¥0.6578 

阶梯数 价格
80: ¥0.6578
200: ¥0.5356
1,500: ¥0.4862
2,432 对比
RSR025P03TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) P 通道 TSMT3

暂无价格 0 对比
DMG2307LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

3.8A 1.36W 90mΩ 30V 3V SOT-23-3 -55°C~150°C 车规

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