SI2305CDS-T1-GE3 与 FDV304P 区别
| 型号 | SI2305CDS-T1-GE3 | FDV304P | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-SI2305CDS-T1-GE3 | A36-FDV304P | ||||||||||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET | P-Channel 25 V 1.5 Ohm Surface Mount Digital FET - SOT-23-3 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 宽度 | 1.60mm | - | ||||||||||
| 功率 | - | 350mW(Ta) | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 35mΩ | 1.1 欧姆 @ 500mA,4.5V | ||||||||||
| 上升时间 | 20ns | - | ||||||||||
| Qg-栅极电荷 | 30nC | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | 400mV | ±8V | ||||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | 17S | - | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 5.8A | 460mA(Ta) | ||||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||||
| 长度 | 2.9mm | - | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.8V,4.5V | 2.7V,4.5V | ||||||||||
| 下降时间 | 10ns | - | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 250µA | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 63pF @ 10V | ||||||||||
| 高度 | 1.45mm | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 8V | 25V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.7W | 350mW(Ta) | ||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 40ns | - | ||||||||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||||||||
| 系列 | SI2 | - | ||||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 960pF @ 4V | 63pF @ 10V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 30nC @ 8V | 1.5nC @ 4.5V | ||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 20ns | - | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 1.5nC @ 4.5V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 1,399 | 32,705 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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SI2305CDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 5.8A 1.7W 35mΩ 8V 400mV |
￥0.8063
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1,399 | 当前型号 | ||||||||
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NTR2101PT1G | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
±8V 960mW(Ta) 52m Ohms@3.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 8V 3.7A |
￥0.6006
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225 | 对比 | |||||||||
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NTR2101PT1G | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
±8V 960mW(Ta) 52m Ohms@3.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 8V 3.7A |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
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NTR2101PT1G | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
±8V 960mW(Ta) 52m Ohms@3.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 8V 3.7A |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
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NTR2101PT1G | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
±8V 960mW(Ta) 52m Ohms@3.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 8V 3.7A |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
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FDV304P | ON Semiconductor | 小信号MOSFET |
±8V 350mW(Ta) 1.1 Ohms@500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 25V 0.46A 460mA(Ta) 1.1 欧姆 @ 500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥0.4589
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32,705 | 对比 |
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