SI2304DDS-T1-GE3 与 FDN357N 区别
| 型号 | SI2304DDS-T1-GE3 | FDN357N | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-SI2304DDS-T1-GE3-1 | A36-FDN357N | ||||||||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET | N-Channel 30 V 60 mOhm Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率 | - | 500mW(Ta) | ||||||||
| 零件号别名 | SI2304DDS-GE3 | - | ||||||||
| 上升时间 | 12ns | - | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | 6.7nC | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | 1.2V | ±20V | ||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | 11S | - | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SuperSOT | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 3.6A | 1.9A | ||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V | ||||||||
| 下降时间 | 5ns | - | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 60mΩ | 60 毫欧 @ 2.2A,10V | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 235pF @ 10V | ||||||||
| 功率耗散Pd | 1.7W | 500mW(Ta) | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 10ns | - | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 系列 | SI2 | - | ||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.2V @ 250µA | 2V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 235pF @ 15V | 235pF @ 10V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6.7nC @ 10V | 5.9nC @ 5V | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | 5ns | - | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.9nC @ 5V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 18 | 7,653 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SI2304DDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 3.6A 1.7W 60mΩ 30V 1.2V |
暂无价格 | 18 | 当前型号 | ||||||||||||
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NTR4170NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
￥0.942
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25,665 | 对比 | ||||||||||||
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BSH103,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.5W 150°C 8V 30V |
￥4.8141
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12,270 | 对比 | ||||||||||||
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FDN357N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) |
￥1.272
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7,653 | 对比 | |||||||||||||
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FDN335N | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
￥0.9828
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6,603 | 对比 | ||||||||||||
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FDN359AN | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
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