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SI2304BDS-T1-GE3  与  DMN3150L-7  区别

型号 SI2304BDS-T1-GE3 DMN3150L-7
唯样编号 A36-SI2304BDS-T1-GE3 A36-DMN3150L-7
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 0.07 Ohm 0.75 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.3 mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 70 mOhms @ 2.5A,10V 85mΩ@3.6A,4.5V
上升时间 - 3.49 ns
漏源极电压Vds 30V 28V
Pd-功率耗散(Max) 750mW(Ta) 1.4W(Ta)
Vgs(th) 3V @ 250uA -
典型关闭延迟时间 - 15.02 ns
栅极电压Vgs - ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
连续漏极电流Id 2.6A(Ta) 3.8A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
系列 - DMN
配置 - Single
通道数量 - 1 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.4V @ 250µA
长度 - 2.9 mm
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 305pF @ 5V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,10V
典型接通延迟时间 - 1.14 ns
高度 - 1 mm
库存与单价
库存 199 26,861
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
50+ :  ¥1.122
90+ :  ¥0.5984
200+ :  ¥0.4563
1,500+ :  ¥0.3965
3,000+ :  ¥0.351
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2304BDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

2.6A(Ta) N-Channel 70 mOhms @ 2.5A,10V 750mW(Ta) SOT-23-3 -55℃~150℃ 30V

¥1.122 

阶梯数 价格
50: ¥1.122
199 当前型号
DMN3150L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.4W(Ta) 85mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 28V 3.8A

¥0.5984 

阶梯数 价格
90: ¥0.5984
200: ¥0.4563
1,500: ¥0.3965
3,000: ¥0.351
26,861 对比
AO3406 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 30V 20V 3.6A 1.4W 50mΩ@10V

¥0.6622 

阶梯数 价格
80: ¥0.6622
200: ¥0.5057
1,500: ¥0.4394
3,000: ¥0.3887
23,404 对比
AO3424 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 55mΩ@3.8A,10V -55℃~150℃

¥0.6391 

阶梯数 价格
80: ¥0.6391
200: ¥0.52
1,500: ¥0.4732
2,187 对比
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A

暂无价格 2 对比
RTR040N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) TSMT 4A 1W 48mΩ 30V 12V N-Channel

暂无价格 2 对比

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