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SI2304BDS-T1-GE3  与  AO3424  区别

型号 SI2304BDS-T1-GE3 AO3424
唯样编号 A36-SI2304BDS-T1-GE3 A36-AO3424
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 0.07 Ohm 0.75 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 18
Td(off)(ns) - 17.5
Rds On(Max)@Id,Vgs 70 mOhms @ 2.5A,10V 55mΩ@3.8A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Rds On(Max)@4.5V - 65mΩ
Pd-功率耗散(Max) 750mW(Ta) 1.4W
Rds On(Max)@2.5V - 85mΩ
Qrr(nC) - 2.6
VGS(th) - 1.5
Qgd(nC) - 1.6
Vgs(th) 3V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
Td(on)(ns) - 3.5
封装/外壳 SOT-23-3 SOT23-3
连续漏极电流Id 2.6A(Ta) 3.8A
工作温度 -55℃~150℃ -55℃~150℃
Ciss(pF) - 235
Vgs(最大值) ±20V -
Trr(ns) - 8.5
Coss(pF) - 35
Qg*(nC) - 4.7
库存与单价
库存 199 2,187
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
50+ :  ¥1.122
80+ :  ¥0.6391
200+ :  ¥0.52
1,500+ :  ¥0.4732
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2304BDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

2.6A(Ta) N-Channel 70 mOhms @ 2.5A,10V 750mW(Ta) SOT-23-3 -55℃~150℃ 30V

¥1.122 

阶梯数 价格
50: ¥1.122
199 当前型号
DMN3150L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.4W(Ta) 85mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 28V 3.8A

¥0.5984 

阶梯数 价格
90: ¥0.5984
200: ¥0.4563
1,500: ¥0.3965
3,000: ¥0.351
26,861 对比
AO3406 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 30V 20V 3.6A 1.4W 50mΩ@10V

¥0.6622 

阶梯数 价格
80: ¥0.6622
200: ¥0.5057
1,500: ¥0.4394
3,000: ¥0.3887
23,404 对比
AO3424 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 55mΩ@3.8A,10V -55℃~150℃

¥0.6391 

阶梯数 价格
80: ¥0.6391
200: ¥0.52
1,500: ¥0.4732
2,187 对比
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A

暂无价格 2 对比
RTR040N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) TSMT 4A 1W 48mΩ 30V 12V N-Channel

暂无价格 2 对比

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