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SI2302CDS-T1-GE3  与  AO3414L  区别

型号 SI2302CDS-T1-GE3 AO3414L
唯样编号 A36-SI2302CDS-T1-GE3 A-AO3414L
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.60mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 57mΩ 62 mΩ @ 3A,4.5V
上升时间 7ns -
Qg-栅极电荷 5.5nC -
栅极电压Vgs 400mV ±8V
正向跨导 - 最小值 13S -
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.9A 3A(Ta)
配置 Single -
长度 2.9mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
下降时间 7ns -
高度 1.45mm -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 860mW 1.4W(Ta)
典型关闭延迟时间 30ns -
FET类型 - N-Channel
系列 SI2 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 850mV @ 250µA -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V -
栅极电荷Qg - 3.8nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 8ns -
库存与单价
库存 817,820 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
100+ :  ¥0.5511
200+ :  ¥0.4199
1,500+ :  ¥0.3653
3,000+ :  ¥0.3237
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI2302CDS-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 2.9A 860mW 57mΩ 20V 400mV

¥0.5511 

阶梯数 价格
100: ¥0.5511
200: ¥0.4199
1,500: ¥0.3653
3,000: ¥0.3237
817,820 当前型号
DMG2302U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 800mW(Ta) 90mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.2A

¥0.4056 

阶梯数 价格
130: ¥0.4056
200: ¥0.2613
3,000: ¥0.2325
120,960 对比
ZXMN2A14FTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 1W(Ta) 60mΩ@3.4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.1A

¥1.639 

阶梯数 价格
40: ¥1.639
100: ¥1.309
750: ¥1.166
809 对比
ZXMN2A14FTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 1W(Ta) 60mΩ@3.4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.1A

暂无价格 0 对比
AO3414L_105 AOS  数据手册 通用MOSFET

4.2A(Ta) N-Channel

暂无价格 0 对比
AO3414L AOS  数据手册 功率MOSFET

3A(Ta) N-Channel ±8V 62 mΩ @ 3A,4.5V SOT-23-3 1.4W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 20V

暂无价格 0 对比

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