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SI1416EDH-T1-GE3  与  MCH6431-TL-W  区别

型号 SI1416EDH-T1-GE3 MCH6431-TL-W
唯样编号 A36-SI1416EDH-T1-GE3 A3t-MCH6431-TL-W
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 未分类
描述 SI1416EDH Series N-Channel 30 V 3.9 A 12 nC Surface Mount Mosfet - SC-70-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 1.5W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 58 mOhms @ 3.1A,10V 55 毫欧 @ 2.5A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.8W(Tc) -
Vgs(th) 1.4V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-363 6-SMD,扁平引线
连续漏极电流Id 3.9A(Tc) 5A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C 150°C(TJ)
Vgs(最大值) ±12V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.6V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 280pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.6nC @ 10V
库存与单价
库存 2 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI1416EDH-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

3.9A(Tc) N-Channel 58 mOhms @ 3.1A,10V 2.8W(Tc) SOT-363 -55°C~150°C 30V

暂无价格 2 当前型号
MCH6431-TL-W ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 对比
FDG315N ON Semiconductor 通用MOSFET

750mW(Ta) 120m Ohms@2A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-70 2A N-Channel 30V 2A(Ta) ±20V 120 毫欧 @ 2A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

暂无价格 0 对比

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