SI1416EDH-T1-GE3 与 MCH6431-TL-W 区别
| 型号 | SI1416EDH-T1-GE3 | MCH6431-TL-W |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-SI1416EDH-T1-GE3 | A3t-MCH6431-TL-W |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 未分类 |
| 描述 | SI1416EDH Series N-Channel 30 V 3.9 A 12 nC Surface Mount Mosfet - SC-70-6 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 1.5W(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 58 mOhms @ 3.1A,10V | 55 毫欧 @ 2.5A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.8W(Tc) | - |
| Vgs(th) | 1.4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-363 | 6-SMD,扁平引线 |
| 连续漏极电流Id | 3.9A(Tc) | 5A(Ta) |
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) |
| Vgs(最大值) | ±12V | - |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 4V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 2.6V @ 1mA |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 280pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 5.6nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 2 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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SI1416EDH-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
3.9A(Tc) N-Channel 58 mOhms @ 3.1A,10V 2.8W(Tc) SOT-363 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 2 | 当前型号 |
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MCH6431-TL-W | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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FDG315N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
750mW(Ta) 120m Ohms@2A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-70 2A N-Channel 30V 2A(Ta) ±20V 120 毫欧 @ 2A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
暂无价格 | 0 | 对比 |