SI1416EDH-T1-GE3 与 FDG315N 区别
| 型号 | SI1416EDH-T1-GE3 | FDG315N |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-SI1416EDH-T1-GE3 | A3t-FDG315N |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | SI1416EDH Series N-Channel 30 V 3.9 A 12 nC Surface Mount Mosfet - SC-70-6 | N-Channel 30 V 120 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet-SC-70-6 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 750mW(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 58 mOhms @ 3.1A,10V | 120 毫欧 @ 2A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.8W(Tc) | 750mW(Ta) |
| Vgs(th) | 1.4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-363 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 连续漏极电流Id | 3.9A(Tc) | 2A(Ta) |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 220pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 4nC @ 5V |
| Vgs(最大值) | ±12V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 220pF @ 15V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 4nC @ 5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 2 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI1416EDH-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
3.9A(Tc) N-Channel 58 mOhms @ 3.1A,10V 2.8W(Tc) SOT-363 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 2 | 当前型号 |
|
MCH6431-TL-W | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
|
FDG315N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
750mW(Ta) 120m Ohms@2A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-70 2A N-Channel 30V 2A(Ta) ±20V 120 毫欧 @ 2A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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