首页 > 商品目录 > > > SCT3030ALGC11代替型号比较

SCT3030ALGC11  与  IPW60R041P6  区别

型号 SCT3030ALGC11 IPW60R041P6
唯样编号 A36-SCT3030ALGC11 A-IPW60R041P6
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SiC MOSFET 功率MOSFET
描述 SCT3030AL Series 650 V 70 A 39 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.21mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 39mΩ@27A,18V 37mΩ
上升时间 - 27ns
漏源极电压Vds 650V 600V
Pd-功率耗散(Max) 262W(Tc) 481W
Qg-栅极电荷 - 170nC
栅极电压Vgs +22V,-4V 20V
典型关闭延迟时间 - 90ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 -
连续漏极电流Id 70A(Tc) 77.5A
工作温度 175°C(TJ) -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSP6
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5.6V @ 13.3mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1526pF @ 500V -
长度 - 16.13mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 104nC @ 18V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 18V -
下降时间 - 5ns
典型接通延迟时间 - 29ns
高度 - 21.1mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT3030ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

暂无价格 0 当前型号
FCH041N60E ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

77A(Tc) ±20V 592W(Tc) 41m Ohms@39A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 TO-247 N-Channel 600V 77A

暂无价格 0 对比
FCH041N60F ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

76A(Tc) ±20V 595W(Tc) 41m Ohms@38A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 TO-247 N-Channel 600V 76A

暂无价格 0 对比
IPW60R041P6FKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R041P6_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPW60R041P6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R041P6FKSA1_600V 77.5A 37mΩ 20V 481W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售