首页 > 商品目录 > > > > RV2C010UNT2L代替型号比较

RV2C010UNT2L  与  RW1C020UNT2R  区别

型号 RV2C010UNT2L RW1C020UNT2R
唯样编号 A36-RV2C010UNT2L A33-RW1C020UNT2R
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 2A 6WEMT
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 400mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 470mΩ@500mA,4.5V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 20V -
Pd-功率耗散(Max) 400mW(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 180pF @ 10V
栅极电压Vgs ±8V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT-883 6-WEMT
连续漏极电流Id 1A(Ta) -
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1V @ 1mA
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 105 毫欧 @ 2A,4.5V
Vgs(最大值) - ±10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.2V,4.5V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 1.5V,4.5V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 2A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 40pF @ 10V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 2nC @ 4.5V
库存与单价
库存 7,790 7,118
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6622
100+ :  ¥0.5408
500+ :  ¥0.4901
2,000+ :  ¥0.455
4,000+ :  ¥0.4251
150+ :  ¥1.0143
500+ :  ¥1.0143
1,000+ :  ¥1.0044
2,000+ :  ¥1.0044
4,000+ :  ¥1.0044
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RV2C010UNT2L ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 20V 1A(Ta) ±8V 400mW(Ta) 470mΩ@500mA,4.5V 150°C(TJ) SOT-883

¥0.6622 

阶梯数 价格
80: ¥0.6622
100: ¥0.5408
500: ¥0.4901
2,000: ¥0.455
4,000: ¥0.4251
7,790 当前型号
RW1C020UNT2R ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 6-WEMT

¥1.0143 

阶梯数 价格
150: ¥1.0143
500: ¥1.0143
1,000: ¥1.0044
2,000: ¥1.0044
4,000: ¥1.0044
7,118 对比
RW1C020UNT2R ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 6-WEMT

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售