RTR025N03TL 与 ZXMN3A01FTA 区别
| 型号 | RTR025N03TL | ZXMN3A01FTA | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-RTR025N03TL | A36-ZXMN3A01FTA | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||
| 描述 | ZXMN3A01 Series 30 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 宽度 | 1.6 mm | - | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 92mΩ@2.5A,4.5V | 120mΩ@2.5A,10V | ||||||||||
| 上升时间 | 15 ns | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1W(Ta) | 625mW(Ta) | ||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | 12V | ±20V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | TSMT | SOT-23 | ||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 2.5A | 2A | ||||||||||
| 系列 | RTR | - | ||||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||||
| 通道数量 | 1 Channel | - | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 1mA | 1V @ 250µA | ||||||||||
| 长度 | 2.9 mm | - | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 220pF @ 10V | 190pF @ 25V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 4.6nC @ 4.5V | 3.9nC @ 10V | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | 4.5V,10V | ||||||||||
| 下降时间 | 10 ns | - | ||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 9 ns | - | ||||||||||
| 高度 | 0.85 mm | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 1 | 3,000 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RTR025N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A |
暂无价格 | 1 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO3402 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55°C~150°C |
￥0.6149
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119,925 | 对比 | ||||||||||||
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DMN3051L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 700mW(Ta) 38mΩ@5.8A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 5.8A |
￥0.568
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60,431 | 对比 | ||||||||||||
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ZXMN3A14FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1W(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 3.2A(Ta) |
￥1.65
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6,141 | 对比 | ||||||||||||
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FDN357N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) |
￥1.408
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6,000 | 对比 | |||||||||||||
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ZXMN3A01FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 625mW(Ta) 120mΩ@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 2A |
￥1.43
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3,000 | 对比 |
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