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RTR025N03TL  与  AO3418  区别

型号 RTR025N03TL AO3418
唯样编号 A36-RTR025N03TL A36-AO3418
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.6 mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 92mΩ@2.5A,4.5V 60mΩ@3.8A,10V
上升时间 15 ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 1.4W
典型关闭延迟时间 25 ns -
栅极电压Vgs 12V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TSMT SOT23-3
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 2.5A 3.8A
系列 RTR -
配置 Single -
通道数量 1 Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA -
长度 2.9 mm -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 220pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
下降时间 10 ns -
典型接通延迟时间 9 ns -
高度 0.85 mm -
库存与单价
库存 1 4,992
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
90+ :  ¥0.6193
200+ :  ¥0.5057
1,500+ :  ¥0.4589
3,000+ :  ¥0.429
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A

暂无价格 1 当前型号
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55°C~150°C

¥0.5544 

阶梯数 价格
100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
1,500: ¥0.3679
3,000: ¥0.325
170,429 对比
DMN3051L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 700mW(Ta) 38mΩ@5.8A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 5.8A

¥0.5242 

阶梯数 价格
100: ¥0.5242
200: ¥0.338
1,500: ¥0.2944
3,000: ¥0.26
60,566 对比
FDN357N ON Semiconductor 通用MOSFET

1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C~150°C(TJ)

¥1.408 

阶梯数 价格
40: ¥1.408
100: ¥1.0791
750: ¥0.8998
1,500: ¥0.8184
3,000: ¥0.7579
6,510 对比
AO3418 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 60mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C

¥0.6193 

阶梯数 价格
90: ¥0.6193
200: ¥0.5057
1,500: ¥0.4589
3,000: ¥0.429
4,992 对比
ZXMN3F30FHTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 950mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 3.8A(Ta)

¥1.529 

阶梯数 价格
40: ¥1.529
100: ¥1.177
750: ¥0.9779
1,500: ¥0.8899
3,000: ¥0.825
4,098 对比

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