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RQ5E035BNTCL  与  DMN3070SSN-7  区别

型号 RQ5E035BNTCL DMN3070SSN-7
唯样编号 A36-RQ5E035BNTCL A36-DMN3070SSN-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 37mΩ@3.5A,10V 40mΩ@4.2A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1W 780mW(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SC-96 SC-59
连续漏极电流Id 3.5A 4.2A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 697pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13.2nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 6,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
70+ :  ¥0.7227
200+ :  ¥0.5889
1,500+ :  ¥0.5356
3,000+ :  ¥0.5005
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ5E035BNTCL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 3.5A ±20V 1W 37mΩ@3.5A,10V -55°C~150°C SC-96

暂无价格 0 当前型号
DMN3070SSN-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 780mW(Ta) 40mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-59 N-Channel 30V 4.2A

¥0.7227 

阶梯数 价格
70: ¥0.7227
200: ¥0.5889
1,500: ¥0.5356
3,000: ¥0.5005
6,000 对比
DMN3070SSN-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 780mW(Ta) 40mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-59 N-Channel 30V 4.2A

¥0.4821 

阶梯数 价格
110: ¥0.4821
220 对比
DMN3070SSN-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 780mW(Ta) 40mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-59 N-Channel 30V 4.2A

暂无价格 0 对比
DMN3070SSN-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 780mW(Ta) 40mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-59 N-Channel 30V 4.2A

暂无价格 0 对比

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