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RQ3E180GNTB  与  TPH3R003PL,LQ  区别

型号 RQ3E180GNTB TPH3R003PL,LQ
唯样编号 A36-RQ3E180GNTB A-TPH3R003PL,LQ
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 88A 8SOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.3mΩ@18A,10V -
上升时间 6.9ns -
Qg-栅极电荷 22.4nC -
产品状态 - 在售
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3825 pF @ 15 V
Vgs(th) - 2.1V @ 300uA
栅极电压Vgs ±20V -
正向跨导 - 最小值 17S -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 50 nC @ 10 V
封装/外壳 HSMT-8 8-SOP Advance(5x5)
连续漏极电流Id 18A 88A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C 175°C(TJ)
配置 Single -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
下降时间 10.2ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V 30 V
Pd-功率耗散(Max) 2W 90W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 4.2 毫欧 @ 44A,4.5V
典型关闭延迟时间 56.8ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 1Channel -
典型接通延迟时间 16.5ns -
库存与单价
库存 2,991 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥2.486
100+ :  ¥1.991
750+ :  ¥1.782
1,500+ :  ¥1.683
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥2.486 

阶梯数 价格
30: ¥2.486
100: ¥1.991
750: ¥1.782
1,500: ¥1.683
2,991 当前型号
AON7516 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 30A 25W 4.5mΩ@10V

¥1.287 

阶梯数 价格
40: ¥1.287
100: ¥0.9861
1,250: ¥0.8227
2,500: ¥0.7475
5,000: ¥0.6921
9,205 对比
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 32A 26W 4.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥0.9383 

阶梯数 价格
60: ¥0.9383
200: ¥0.6479
818 对比
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 32A 26W 4.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
AON7422E AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 40A 36W 4.3mΩ@10V

暂无价格 0 对比
TPH3R003PL,LQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 90W(Tc) 8-SOP Advance(5x5) 175°C(TJ) 30 V 88A(Tc)

暂无价格 0 对比

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