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RQ3E180BNTB  与  AON6576  区别

型号 RQ3E180BNTB AON6576
唯样编号 A36-RQ3E180BNTB A-AON6576
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.9mΩ@18A,10V 4.7mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta),20W(Tc) 26W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerVDFN DFN 5x6
连续漏极电流Id 39A(Tc) 32A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3500pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 37nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 2,425 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥2.222
100+ :  ¥1.782
750+ :  ¥1.595
1,500+ :  ¥1.507
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E180BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

¥2.222 

阶梯数 价格
30: ¥2.222
100: ¥1.782
750: ¥1.595
1,500: ¥1.507
2,425 当前型号
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¥1.298 

阶梯数 价格
40: ¥1.298
100: ¥0.9966
1,250: ¥0.8305
2,500: ¥0.7557
5,000: ¥0.6941
6,819 对比
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¥3.8462 

阶梯数 价格
1: ¥3.8462
100: ¥3.0612
1,000: ¥2.2059
1,500: ¥1.8987
3,000: ¥1.5
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¥0.9383 

阶梯数 价格
60: ¥0.9383
200: ¥0.6479
1,500: ¥0.5874
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暂无价格 0 对比
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