RQ3E120ATTB 与 AON7405 区别
| 型号 | RQ3E120ATTB | AON7405 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-RQ3E120ATTB | A-AON7405 | ||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 宽度 | 2.4mm | - | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8mΩ@-12A,-10V | 6.2mΩ@-20A,-10V | ||||||||||
| 上升时间 | 30ns | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 39V | -30V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 83W | ||||||||||
| Qg-栅极电荷 | 62nC | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±25V | ||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 140ns | - | ||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | HSMT | DFN 3.3x3.3 EP | ||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 12A | -50A | ||||||||||
| 系列 | RQ | - | ||||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3200pF @ 15V | - | ||||||||||
| 长度 | 3mm | - | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 62nC @ 10V | - | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||||
| 下降时间 | 95ns | - | ||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 20ns | - | ||||||||||
| 高度 | 0.85mm | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 32,513 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RQ3E120ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) HSMT 12A 2W 8mΩ@-12A,-10V 39V ±20V P-Channel |
￥1.76
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32,513 | 当前型号 | ||||||||||||
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AON7405 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3.3x3.3 EP P-Channel -30V ±25V -50A 83W 6.2mΩ@-20A,-10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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AON7409 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP P-Channel -30V 25V -32A 96W 8.5mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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AON6413 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 P-Channel -30V 25V -32A 48W 8.5mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SI7101DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 35A(Tc) ±25V 3.7W(Ta),52W(Tc) 7.2mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerPak1212-8 30V 35A 7.2mΩ |
暂无价格 | 22 | 对比 | ||||||||||||
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SI7101DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 35A(Tc) ±25V 3.7W(Ta),52W(Tc) 7.2mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerPak1212-8 30V 35A 7.2mΩ |
暂无价格 | 5 | 对比 |
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